一种用于超高密度垂直磁记录介质的制备方法

• 摘要：

  本发明提供了一种用于超高密度垂直磁记录介质的制备方法.利用磁控溅射方法,在加热的MgO(001)单晶基片上沉积[FePt(5~20)/Au(2.5~7)]_5~10多层膜.基片温度为100~450℃,溅射室本底真空为1*10^-5~7*10^-5Pa,溅射时氩气压为0.9~1.6Pa.沉积完毕后,将薄膜降至室温,再放入真空退火炉中进行热处理,退火温度为470~700℃,退火时间为20分钟~4小时,退火炉本底真空度为2*10^-5~7*10^-5Pa.所制备出的L1₀-FePt薄膜具有垂直膜面取向、磁性能优良、颗粒尺寸小于10nm等特点,适合应用于超高密度垂直磁记录介质.本方法还具有成本低,制备简单等优点,适合于工业应用.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN200810056065.2

• 申请日期：

  2008.01.11

• 公开/公告号：

  CN101217041

• 公开/公告日：

  2008-07-09

• 发明人：

  于广华 冯春 滕蛟 李宝河 李明华

• 申请人：

  北京科技大学

• 主分类号：

  G11B5/84(2006.01)I,G,G11,G11B,G11B5

• 分类号：

  G11B5/84(2006.01)I,G11B5/851(2006.01)I,G,G11,G11B,G11B5,G11B5/84,G11B5/851

• 主权项：

  1、一种用于超高密度垂直磁记录介质的制备方法,利用磁控溅射,其特征是在干净的MgO(001)单晶基片上交替沉积[铁铂FePt(5~20)/金Au(2.5~7)]5~10多层膜,基片温度为100~450℃,溅射室本底真空度为1*10-5~7*10-5Pa,溅射时氩气压为0.9~1.6Pa;沉积完毕后,将薄膜降至室温,再放入真空退火炉中进行热处理,退火温度为470~700℃,退火时间为20分钟~4小时,退火炉本底真空度为2*10-5~7*10-5Pa.