一种霍尔自旋天平材料及元器件

• 摘要：

  本发明涉及磁性功能薄膜和以磁性多层膜材料为基础的新型材料及其元器件.一种霍尔自旋天平材料,所述材料包括多层薄膜,由两个具有垂直磁各向异性的磁性层,中间被非磁性绝缘层隔离所组成;其中一磁性层被反铁磁层钉扎,另外一磁性层与一功能层相连;材料制成Hallbar的形状.此发明保留了MTJ的优点,以低成本实现NVM,并具有与晶体管媲美的状态变化比率,能够实现3D存储阵列,且具有复杂逻辑处理的能力.解决了NVM现存的主要问题.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201210421031.5

• 申请日期：

  2012.10.29

• 公开/公告号：

  CN102931342A

• 公开/公告日：

  2013-02-13

• 发明人：

  于广华 王守国 张石磊 刘洋 张静言 滕蛟 冯春

• 申请人：

  北京科技大学

• 主分类号：

  H01L43/10(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L43

• 分类号：

  H01L43/10(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L43,H01L43/10

• 主权项：

  一种霍尔自旋天平材料,所述材料包括多层薄膜,由两个具有垂直磁各向异性的磁性层,中间被非磁性绝缘层隔离所组成;其中一磁性层被反铁磁层钉扎,另外一磁性层与一功能层相连;材料制成Hall?bar的形状.