一种氮化合成硅纳米粉的方法及其应用

• 摘要：

  本发明提供一种氮化合成硅纳米粉的方法及其应用.具体是在温和条件下,以微米级硅粉为硅源,经过与金属或其合金反应制备硅/金属合金,然后经过氮气氮化硅/金属合金合成硅纳米粉.本发明不会产生硅氧化合物,避免使用剧毒的氢氟酸试剂.控制适当的反应温度、反应时间,该反应能够彻底进行,可实现宏量制备纳米硅材料.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201510254325.7

• 申请日期：

  2015.05.18

• 公开/公告号：

  CN104986768A

• 公开/公告日：

  2015-10-21

• 发明人：

  钱逸泰 朱永春 韩莹 林宁

• 申请人：

  中国科学技术大学

• 主分类号：

  C01B33/021(2006.01)I,C,C01,C01B,C01B33

• 分类号：

  C01B33/021(2006.01)I,C,C01,C01B,C01B33,C01B33/021

• 主权项：

  一种制备硅纳米粉的方法,所述方法包括如下步骤:1)将微米级硅粉与金属混合,在氩气保护下煅烧,获得硅/金属合金;2)将步骤1)获得的硅/金属合金在氮气氛下加热;其中所述金属选自锂、钠、镁、铝或其相应合金或其组合.