制备硅纳米材料的方法

• 摘要：

  本发明提供一种制备硅纳米材料的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:a)将含硅原料与过量的金属研磨混合;b)将a)中所得的混合物加热至300至700℃进行反应,将所述含硅原料中的硅还原为金属硅化物的形式;c)将b)的反应产物在含氧气体流下加热至450至700℃进行反应,将其中的所述金属硅化物氧化为单质硅核‑二氧化硅壳的核‑壳硅纳米材料.本发明的方法具有工艺操作简单、成本低廉,易于扩大生产,硅源范围大,环境友好,产物性质优良等优点.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201610613273.2

• 申请日期：

  2016.07.29

• 公开/公告号：

  CN106241812A

• 公开/公告日：

  2016-12-21

• 发明人：

  钱逸泰 朱永春 梁剑文 李晓娜

• 申请人：

  中国科学技术大学

• 主分类号：

  C01B33/021(2006.01)I,C,C01,C01B,C01B33

• 分类号：

  C01B33/021(2006.01)I,C01B33/12(2006.01)I,B82Y30/00(2011.01)I,H01M4/38(2006.01)I,H01M4/583(2010.01)I,H01M4/62(2006.01)I,C,B,H,C01,B82,H01,C01B,B82Y,H01M,C01B33,B82Y30,H01M4,C01B33/021,C01B33/12,B82Y30/00,H01M4/38,H01M4/583,H01M4/62

• 主权项：

  一种制备硅纳米材料的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:a)将含硅原料与过量的金属研磨混合;b)将a)中所得的混合物加热至300至700℃进行反应,将所述含硅原料中的硅还原为金属硅化物的形式;c)将b)的反应产物在含氧气体流下加热至450至700℃进行反应,将其中的所述金属硅化物氧化为单质硅核‑二氧化硅壳的核‑壳硅纳米材料.