一种含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体材料及其制备方法与应用

• 摘要：

  本发明涉及一种含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体材料及其制备方法与应用.本发明通过并噻吩类单体与含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的多种单体进行共聚,获得含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体.由于萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑具有良好的吸电子能力以及平面性,本发明所制备的新型含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体材料可以非常好的调节光电性质,具有良好的光电性能,因此可应用于制作聚合物太阳电池的活性层.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201610807102.3

• 申请日期：

  2016.09.06

• 公开/公告号：

  CN106632999A

• 公开/公告日：

  2017-05-10

• 发明人：

  黄飞 金耀城 陈智明 应磊 曹镛

• 申请人：

  华南理工大学

• 主分类号：

  C08G61/12(2006.01)I,C,C08,C08G,C08G61

• 分类号：

  C08G61/12(2006.01)I,H01L51/46(2006.01)I,C,H,C08,H01,C08G,H01L,C08G61,H01L51,C08G61/12,H01L51/46

• 主权项：

  一种含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体材料,其特征在于,所述有机半导体材料结构式为:其中R为氢或C₁~C₃₆的烷基,C₁~C₃₆的烷氧基,C₁~C₃₆的烷硫基或CH₃O(CH₂O)x(x＝1~36)的醚链;n为所述有机半导体材料的聚合度;n为30~300的自然数.