可见光响应的三氧化钨‑钒酸铋异质结薄膜电极制备方法

• 摘要：

  一种可见光响应的三氧化钨‑钒酸铋异质结薄膜电极制备方法,包括以下步骤:将1~3g Bi(NO₃)₃·5H₂O溶于100mL的2mol/L的醋酸水溶液中得到硝酸铋溶液,将0.2~1g NH₄VO₃溶于100mL的50~200mmol/L的H₂O₂水溶液中得到过氧钒酸溶液,然后先将硝酸铋溶液旋涂于WO₃薄膜表面,再将过氧钒酸溶液旋涂于WO₃薄膜表面,将此旋涂过程重复5~20次,将所得薄膜于400~550℃温度一次性热处理1~6小时,自然冷却得到所述WO₃/BiVO₄异质结薄膜电极.本发明具有简便、温和、高效的特点,所制备的WO₃/BiVO₄异质结薄膜电极具有良好的可见光吸收性能和良好的稳定性,光电效率高,光电催化降解有机物效果好,能够应用于光电催化产氢和降解有机物以及传感器等领域.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201710049459.4

• 申请日期：

  2017.01.20

• 公开/公告号：

  CN106745474A

• 公开/公告日：

  2017-05-31

• 发明人：

  周保学 曾庆意 白晶 李金花 乔莉 谭晓涵 沈照熙 李晓燕

• 申请人：

  上海交通大学

• 主分类号：

  C02F1/30(2006.01)I,C,C02,C02F,C02F1

• 分类号：

  C02F1/30(2006.01)I,C02F1/461(2006.01)I,C02F1/72(2006.01)I,C25B1/04(2006.01)I,C02F101/30(2006.01)N,C,C02,C25,C02F,C25B,C02F1,C25B1,C02F101,C02F1/30,C02F1/461,C02F1/72,C25B1/04,C02F101/30

• 主权项：

  一种可见光响应的WO₃/BiVO₄异质结薄膜电极制备方法,其特征在于,该制备方法包括以下步骤:1)将1~3g Bi(NO₃)₃·5H₂O溶于100mL的2mol/L的醋酸水溶液中得到硝酸铋溶液,将0.2~1g NH₄VO₃溶于100mL的50~200mmol/L的H₂O₂水溶液中得到过氧钒酸溶液;2)然后先将所述的硝酸铋溶液旋涂于WO₃薄膜表面,再将所述的过氧钒酸溶液旋涂于WO₃薄膜表面,将此旋涂过程重复5~20次之后,3)将所得薄膜在400~550℃温度下一次性热处理1~6小时,自然冷却之后即得到所述WO₃/BiVO₄异质结薄膜电极.