一种提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法

• 摘要：

  本发明涉及太阳电池技术领域,具体讲是一种提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法,本发明公开了一种提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法,包括以下步骤:将多晶硅钝化接触结构在含水蒸气气氛下进行中低温热处理;本发明对不同钝化水平的TOPCon钝化片都有提升作用;处理方法多样化,工艺窗口大,重复性强,所需设备简单,其工艺完全适用于TOPCon电池的背钝化.经过上述方法处理后,基本上能够将n‑TOPCon的iVoc显著提升.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201910205994.3

• 申请日期：

  2019.03.19

• 公开/公告号：

  CN111725350A

• 公开/公告日：

  2020-09-29

• 发明人：

  曾俞衡 闫宝杰 叶继春 张志 黄玉清 廖明墩 郭雪琪 杨清 王志学

• 申请人：

  中国科学院宁波材料技术与工程研究所

• 主分类号：

  H01L31/18(2006.01),H,H01,H01L,H01L31

• 分类号：

  H01L31/18(2006.01),H,H01,H01L,H01L31,H01L31/18

• 主权项：

  1.一种提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法,其特征在于,包括以下步骤:将多晶硅钝化接触结构在含水蒸气气氛下进行中低温热处理. 2. 根据权利要求1所述的提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法,其特征在于,所述中低温热处理为以每分钟5-20℃的升温速率升温至200-700℃并保温5 min以上. 3. 根据权利要求2所述的提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法,其特征在于,所述中低温热处理为以每分钟5-20℃的升温速率升温至300-600℃并保温5 min以上. 4. 根据权利要求3所述的提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法,其特征在于,所述中低温热处理为以每分钟15-20℃的升温速率升温至300-600℃并保温20-30min. 5.根据权利要求1所述的提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法,其特征在于,所述含水蒸气气氛由水蒸气和惰性载气组成. 6.根据权利要求5所述的提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法,其特征在于,所述含水蒸气气氛中水蒸气与惰性载气的流量比为0.01%-100%.