掺镱钼酸钆钡钾激光晶体及其制备方法

• 摘要：

  本发明提供掺镱钼酸钆钡钾激光晶体及其制备方法.该晶体属于单斜晶系,空间群为C2/m,晶胞参数为a=17.401?(11)??,?b=12.226(8)??,?c=5.324(4)??,?β=?106.19(1)o,?V=1087.73(373)??3,?Z=4,?D=4.967?g.cm-3.该晶体可采用助熔剂法生长.该晶体呈现出较宽的吸收和发射谱带.其吸收带在976nm处的吸收截面为1.69*10-20cm2,吸收半峰宽为60nm.在约1010nm处的发射截面超过3*10-20cm2.该晶体可成为一种新的超短脉冲激光晶体,并获得实际应用.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201210407781.7

• 申请日期：

  2012.10.22

• 公开/公告号：

  CN102877132A

• 公开/公告日：

  2013-01-16

• 发明人：

  王国富 余意 林州斌 张莉珍 黄溢声

• 申请人：

  中国科学院福建物质结构研究所

• 主分类号：

  C30B29/32(2006.01)I,C,C30,C30B,C30B29

• 分类号：

  C30B29/32(2006.01)I,C30B9/12(2006.01)I,C,C30,C30B,C30B29,C30B9,C30B29/32,C30B9/12

• 主权项：

  一种掺镱钼酸钆钡钾激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Yb3+:KBaGd(MoO4)3,属于单斜晶系,具有C2/m空间群结构,晶胞参数为a=17.401?(11)??,?b=12.226(8)??,?c=?5.324(4)??,??β=?106.19(1)o,?V=?1087.73(373)??3,?Z=4,?D?=?4.967?g.cm?3.