掺镨钨酸镥钾激光晶体及其制备方法

• 摘要：

  本发明提供一种掺镨钨酸镥钾激光晶体及其制备方法.该晶体属于单斜晶系,空间群为C2/m,晶胞参数为,β=130.68°,,Z=4,Dc=4.63?g/cm3.该晶体可采用助熔剂法生长.其吸收光谱在451nm处呈现很大的吸收,吸收截面达到74.4*10-20?cm2,吸收半峰宽达到了8nm.该晶体在可见光波段以及近红外波段有强的发射,在1073nm?处的发射截面达到了24.3*10-20cm2,该晶体可望成为一种新的激光晶体,并获得实际应用.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201210406070.8

• 申请日期：

  2012.10.22

• 公开/公告号：

  CN102888654A

• 公开/公告日：

  2013-01-23

• 发明人：

  王国富 余意 黄溢声 张莉珍 林州斌

• 申请人：

  中国科学院福建物质结构研究所

• 主分类号：

  C30B29/32(2006.01)I,C,C30,C30B,C30B29

• 分类号：

  C30B29/32(2006.01)I,C30B9/12(2006.01)I,C,C30,C30B,C30B29,C30B9,C30B29/32,C30B9/12

• 主权项：

  一种掺镨钨酸镥钾激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Pr3+:KLu(WO4)2,属于单斜晶系,具有C2/m空间群结构,晶胞参数为,Z=4,Dc=4.63?g/cm3.FDA0000228971681.jpg