一种用于AlN晶体生长的籽晶

• 摘要：

  一种用于AlN晶体生长的籽晶,它涉及一种用于AlN晶体生长的材料.它要解决现有采用自发成核难以获得大尺寸AlN晶体,采用异质籽晶方法生长出的AlN晶体杂质含量高的问题.用于AlN晶体生长的籽晶为经过退火工艺处理后的AlN陶瓷片.用于AlN晶体生长的籽晶还可以为经过退火工艺处理后再进行抛光处理的AlN陶瓷片,或者在抛光后的陶瓷片表面镀上AlN薄膜,以得到用于AlN晶体生长的籽晶.采用本发明用于AlN晶体生长的籽晶生长出的AlN晶体尺寸较大,杂质含量少.本发明主要应用于半导体器件中AlN晶体的生长.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201310006222.X

• 申请日期：

  2013.01.08

• 公开/公告号：

  CN102995124A

• 公开/公告日：

  2013-03-27

• 发明人：

  韩杰才 宋波 金雷 张化宇

• 申请人：

  哈尔滨工业大学

• 主分类号：

  C30B29/38(2006.01)I,C,C30,C30B,C30B29

• 分类号：

  C30B29/38(2006.01)I,C30B23/00(2006.01)I,C,C30,C30B,C30B29,C30B23,C30B29/38,C30B23/00

• 主权项：

  一种用于AlN晶体生长的籽晶,其特征在于用于AlN晶体生长的籽晶为经过退火工艺处理后的AlN陶瓷片,AlN陶瓷片的直径为1~4英寸,厚度为0.3~5mm,表面粗糙度Ra≤15nm.