低工作电压反相器及其制作方法

• 摘要：

  本发明公开了一种低工作电压反相器及其制作方法.本发明的反相器包含形成在绝缘衬底上的第一晶体管和第二晶体管,其中,所述第一晶体管以耗尽型模式工作,所述第二晶体管以增强型模式工作,并且,所述第一晶体管和第二晶体管的栅介质层由具有离子导电特性的固态电解质构成.本发明还提供了制备本发明的低工作电压、高增益性的反相器的方法.本发明的反相器在获得低工作电压、高电压增益性的同时,还进一步降低了制造成本.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201610029456.X

• 申请日期：

  2016.01.15

• 公开/公告号：

  CN106981486A

• 公开/公告日：

  2017-07-25

• 发明人：

  竺立强 肖惠 万昌锦 刘阳辉

• 申请人：

  中国科学院宁波材料技术与工程研究所

• 主分类号：

  H01L27/092(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L27

• 分类号：

  H01L27/092(2006.01)I,H01L21/8238(2006.01)I,H01L29/423(2006.01)I,H01L21/28(2006.01)I,H01L21/283(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L27,H01L21,H01L29,H01L27/092,H01L21/8238,H01L29/423,H01L21/28,H01L21/283

• 主权项：

  一种反相器,其特征在于,包含:衬底;位于所述衬底上的第一沉积结构;以及位于所述衬底上的第二沉积结构;其中,所述第一沉积结构包括:位于所述衬底上第一栅电极、位于所述第一栅电极上的第一栅介质层、位于所述第一栅介质层上的第一沟道层、位于所述第一沟道层上的第一源极和第一漏极;并且,所述第一沉积结构构成以耗尽型模式工作的第一晶体管;所述第二沉积结构包括:位于所述衬底上第二栅电极、位于所述第二栅电极上的第二栅介质层、位于所述第二栅介质层上的第二沟道层、位于所述第二沟道层上的第二源极和第二漏极;并且,所述第二沉积结构构成以增强型模式工作的第二晶体管;并且所述第一栅电极、所述第一源极和所述第二漏极通过导电层电连接;并且在所述反相器中,所述第一栅极作为输出端V_out,所述第二栅极作为输入端V_in,所述第二源极接地,所述第一漏极用于施加电源电压V_DD;并且所述第一栅介质层和第二栅介质层均为离子导电型固态电解质.