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来源：中国科学材料
GaN基激光二极管(LD)将半导体LD的波长扩展到可见光谱和紫外光谱范围，因此有望被广泛用于光钟等量子技术、生物医疗仪器、激光显示、照明和材料加工等领域。尽管它们与GaN基发光二极管(LED)基于相同的III氮化物材料，但是蓝光和绿光LD面临更大的挑战。
近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所刘建平研究员等人在Science China Materials上发表综述文章，从外延生长和结构设计的角度对GaN基蓝光和绿光LD面临的挑战和进展进行了回顾总结。InN、GaN和AlN之间的晶格常数和生长条件差异很大，因此需要进行深入研究来提高蓝光，尤其是绿光LD的InGaN/GaN多量子阱(MQW)增益介质的材料质量。p型掺杂分布，生长条件和器件结构对减少内部损耗并抑制InGaN MQW的热退化至关重要。此外，空穴注入也是GaN基LD面临的关键问题。
来源：SciChinaMater 中国科学材料
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