大尺寸二维单晶的控制生长学术资讯

来源：X一MOL资讯

二维材料因其独特的结构、优异的性能，以及在全新变革性器件中丰富的潜在应用，受到了广泛的研究关注。然而，受限于现有二维单晶的尺寸与质量，目前对二维材料的基础研究往往难以深入到最本征的内在机理；同时，相应的器件研发也难以走向高度集成化与大规模产业化应用。因此，大尺寸、高质量二维单晶的制备研究具有重要的学术意义和应用价值。
二维材料特殊的结构决定了其单晶可控制备必须依赖于材料与衬底之间的表、界面调控。目前，只有石墨烯与六方氮化硼被制备成晶圆级单晶。探寻普适、高效的二维单晶制备方法还需进一步深化对二维单晶控制生长的认识。

近日，北京大学刘开辉课题组在总结已有典型工作的基础上，系统地讨论与评述了二维单晶控制生长过程中的四个关键因素（控制成核、促进生长、表面调控及相控制），并对未来二维单晶的可控制备和应用前景做出了展望。相关结果以“Designed Growth of Large-Size 2D Single Crystals”为题发表在Advanced Materials 期刊上。刘灿博士、王理博士、戚嘉杰为论文的第一作者，刘开辉研究员为论文的通讯作者。

二维单晶控制生长过程中的四个关键因素

原文：Designed Growth of Large-Size 2D Single CrystalsCanLiu, LiWang, JiajieQi, KaihuiLiu*Adv. Mater., 2020, DOI: 10.1002/adma.202000046

刘开辉研究员简介

刘开辉博士，北京大学物理学院研究员、课题组长、博士生导师、基金委“优青”、国家重点研发计划课题负责人。本科毕业于北京师范大学物理学系；博士毕业于中科院物理所；2009-2014在美国加州大学伯克利分校物理系从事博士后研究工作；2014年到北京大学工作。主要从事大尺寸二维单晶材料的设计、制造和表征研究；特别注重新机理和新技术的探索，发展了特色的表界面调控生长和纳米光谱学表征技术。近几年在二维材料超快生长设计、米级单晶材料制备技术、二维材料性质精准表征方向取得了系列进展。

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