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来源：中国科学材料
近年来二维材料因其超薄的厚度及新颖的电、光及光电特性受到了广泛关注。此外，二维材料表面无悬挂键，这使得其可以直接通过范德华力相互结合形成范德华异质结，为构建具有优异性能的新型器件提供了新的机遇。近日，湖南大学潘安练教授和李东教授等人在Science China Materials上发表研究论文，采用范德华集成方法将n型硫化镉和p型黑磷垂直堆垛起来构筑了p-n结二极管。
图1 CdS/BP p-n异质结的结构示意图(a)和光学图片(b)。(c)黑磷（BP）的Raman光谱。(d) CdS纳米带（NB）光致发光谱。(e) CdS和BP的AFM图像。(f) (e)中标注的位置所对应的高度。
输运特性测试表明，该p-n结器件表现出高的整流比（8×103）和低的理想因子（1.5）。同时，在光照下器件表现出超高的光响应度和比探测率，分别可达9.2×105 A W−1和3.2×1013 Jones，与目前所报道的二维异质结光电探测的最高水平相当。
当器件工作于自驱动探测模式时，仍表现出极好的光探测性能，光响应度和响应速度分别可达0.27 A W−1和~10 ms。
图2 CdS/BP p-n异质结的光电性能。
所制备的硫化镉/黑磷异质结器件将会在新一代纳米电子、光电子器件中扮演重要角色。
该研究成果最近发表于Science China Materials, 2020, 10.1007/s40843-020-1356-3。
来源：SciChinaMater 中国科学材料
原文链接：http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzAwMDc0OTAzOQ==&mid=2651214403&idx=2&sn=24ecf65d31e0c1da98a42af89cbd5532&chksm=8116cec3b66147d579b7c2ac79244d85a16fa0f1a121d9902fb9c4d61239c10c0a1ee798929b&scene=27#wechat_redirect
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