比恩模型

比恩模型（Bean's model），或临界态模型（critical state model），是为了解释第二类超导体的磁化现象而提出的简化模型，由C·P·比恩于1962年发表。比恩模型可以在宏观上解释超导体被不可逆磁化的过程中出现的磁滞现象。

简介比恩模型（Bean's model），或临界态模型（critical state model），是为了解释第二类超导体的磁化现象而提出的简化模型，由C·P·比恩于1962年发表。比恩模型可以在宏观上解释超导体被不可逆磁化的过程中出现的磁滞现象。1

假设比恩模型考虑的是较强的磁通钉扎导致涡旋静止不动的情况。若施加一个均匀的外部磁场，比恩模型假设超导体内部的磁场强度会随着深度增加呈线性递减，斜率为4πJc/c（高斯单位制下），其中Jc为临界电流密度。此电流代表的是为了抵抗外界磁场而在超导体内部感应出的电流。临界电流的值在比恩模型中只能取三种值：+Jc、-Jc或0。临界磁场H*被定义为恰好完全消除超导体内部迈斯纳相（即磁场为零的区域）所需的外加磁场。1

比恩模型的推广虽然比恩假设临界电流密度Jc为常数（即H