深能级测量

深能级测量是指半导休材料中深能级的测量。方法主要有：深能级瞬态谱、光致发光、光电流瞬态谱、光电容和定值光电导等。

概念深能级测量是指半导休材料中深能级的测量。方法主要有：深能级瞬态谱、光致发光、光电流瞬态谱、光电容和定值光电导等。

优点其中深能级瞬态谱( DLTS )法灵敏度高，分析方便、直观、辐射中心或非辐射中心都能检测，并能严格确定结区能级参数，因此被广泛采用1。

原理深能级瞬态谱需制备p-n结或肖特基势垒结。其原理是：处于反向偏置下的p-n结，其空间电荷区的扩展宽度Wr决定于离化了的浅杂质和深杂质浓度之和。若同时加上正向脉冲、可使其偏压为零，中性区中的深中心迅速俘获载流子，在脉冲消失后的瞬间由于被俘获的载流子尚未发射，宽度小于Wr，随时间趋向于Wr。这个时间取决于深中心的能级和浓度。

特点深能级瞬态光谱法的重要特点是采用了“发射率窗”，从电容瞬态求出电子热发射率。“率窗”设定后，在一次温度扫描的过程中，不同的深中心出现在不同的温度上，形成深能级瞬态能谱，谱峰的高度对应于深中心浓度，峰的正负对应于少子陷阱和多子陷阱1。

本词条内容贡献者为:

邱学农 - 副教授 - 济南大学