中子掺杂

中子掺杂是指NTD利用中子擅变的反应进行半导体材料的掺杂。获得工业应用的是硅的n型掺杂。

简介中子掺杂是指NTD利用中子擅变的反应进行半导体材料的掺杂。获得工业应用的是硅的n型掺杂1。

应用在硅中同位素硅约占30%，高纯硅单晶经原子反应堆的中子辐照发生以下反应而相当于磷掺杂；为了保证辐照均匀，晶体在反应堆的孔道中旋转，根据辐照剂量可预测出单晶所得的电阻率值。然后单晶经退火(650---900 摄氏度)以消除辐射损伤。

优点这种掺杂不受熔体流动的影响，故不形成条纹，是最均匀的掺杂方法，其微观电阻率下均匀性可低达3%2。

缺点但此法不适于制备低电阻率。因辐照时间过长，p同位素会擅变成S，对晶体性能有害。对GaAs ,InSb材料的中子掺杂试验表明可以获得均匀性好，补偿度低的材料。

应用生产的区熔硅单晶，有一半以上是采用中子掺杂的3。

本词条内容贡献者为:

邱学农 - 副教授 - 济南大学