溶剂移动法

溶剂移动法是一种溶液生长方法。是1963年孟拉夫斯基Mlavsky)等在蒲凡(Pfann )早年报道的温度梯度区熔( TGZM)法基础上试图从溶液中土长GaAs等化合物半导体而提出的。

简介溶剂移动法是一种溶液生长方法。是1963年孟拉夫斯基Mlavsky)等在蒲凡(Pfann )早年报道的温度梯度区熔( TGZM)法基础上试图从溶液中土长GaAs等化合物半导体而提出的1。

原理基本原理是(以砷化镓为例):两片砷化镓晶体，其中一片在下部作为籽晶，为抛光好的单晶片，另一片在上部作原料。中间夹一层液态砷化镓作为溶剂。控制适当的温度梯度(上片温度高些)使上部砷化镓片不断溶解在镓溶液中，通过砷原子在镓中扩散而在下部砷化镓片上生长单晶2。

过程上部原料片不断溶解，下部籽晶片不断长厚，相当于镓溶剂区自下而上移动(如通过加热器移动使溶剂区移动，也叫移动加热器法)。一旦移到顶部，上部原料顶部溶解就生长出具有一定厚度的单晶。由于生长温度较低所生长单晶纯度较高，完整性也较好，还可在溶剂中掺入适当杂质生长较大面积的p -n结。

应用已用此法生长出硼化镓，砷化镓等材料。溶剂移动速率受溶质扩散速率限制3。

本词条内容贡献者为:

邱学农 - 副教授 - 济南大学