磁控拉晶法

磁控拉晶法是指MCZ在直拉过程中熔体部位施加磁场制备单晶的方法1。在通常的直拉单晶过程中，热对流会给生长的晶体带来杂质分布不均匀、缺陷密度高等不良效果。

简介磁控拉晶法是指MCZ在直拉过程中熔体部位施加磁场制备单晶的方法1。

缺陷在通常的直拉单晶过程中，热对流会给生长的晶体带来杂质分布不均匀、缺陷密度高等不良效果。

产生原理施加磁场后，导电的熔体与磁力线相作用而产生洛仑兹力，从而抑止热对流1。

分类MCZ法按其磁场方向可分为水平磁场法(HMCZ)与垂直磁场法(VMCZ)，所用的磁体可以是电磁铁，也可以导电磁体。

应用MCZ已用于制备锑化铟，砷化镓和硅单晶。制备硅单晶(MCZ-Si)已工业化。

优点用MCZ法的优点：

(1)可明显地改善单晶的均匀性，包括径向与纵向的均匀性；

(2)降低缺陷密度；

(3)对硅单晶可通过调节磁场及增祸转速在较大的范围内控制氧含量。

缺点缺点是设备较复杂，耗电量高，从而加大成本2。

本词条内容贡献者为:

邱学农 - 副教授 - 济南大学