科技工作者之家
科界APP是专注科技人才,知识分享与人才交流的服务平台。
科技工作者之家 2019-11-29
来源:材料人
引言
QD-LEDs作为下一代显示器,已通过优化QDs的梯度核/壳结构和采用具有电子空穴阻挡层的无机电子传输层,使得QD-LEDs的外部量子效率(EQE)可以提高到理论最大值(20.5%)。然而,以往的研究大多集中在基于CdSe的量子点上,这些量子点存在严重的毒性和环境问题。很少有研究更环保的InP基QD-LEDs,由于目前很难合成高质量的材料,通过前驱体纯化制备的InP/ZnSe/ZnS QDs已经被证明具有93%的高量子产率,而相应的QD-LED的EQE为12.2%。InP基的QD-LEDs较差的性能归因于InP QDs的深间隙态缺陷和氧化缺陷。
成果简介
今日,在韩国三星先进技术研究院Eunjoo Jang团队(通讯作者)带领下,与韩国延世大学合作,介绍了一种制备均匀InP核和高度对称的核/壳QD的合成方法,其量子产率约为100%。特别地,在初始ZnSe壳的生长过程中添加氢氟酸,原位蚀刻掉氧化InP核表面,然后在340℃下实现高温ZnSe的生长。为了保持较高的发光效率,设计的壳厚度可抑制能量转移和俄歇复合,并且初始表面配体被较短的配体取代,以实现更好的电荷注入。经过优化的InP/ZnSe/ZnS QD-LED理论最大的外部量子效率为21.4%,最大亮度为100,000 cd/m2,在100 cd/m2的条件下使用寿命长达一百万小时,可与最先进的含镉QD-LED相媲美。这些已准备好的InP基QD-LED将很快在商业显示器中使用。相关成果以题为“Highly efficient and stable InP/ZnSe/ZnS quantum dot light-emitting diodes”发表在了Nature。
图文导读
图1 不同形貌和壳厚度的InP/ZnSe/ZnS量子点
图2 InP基的QD-LED的性能
图3 QD-1、QD-2和QD-3R的光学特性
图4 配体交换QD的QD-LED
文献链接:Highly efficient and stable InP/ZnSe/ZnS quantum dot light-emitting diodes(Nature,2019,DOI:10.1038/s41586-019-1771-5)
来源:icailiaoren 材料人
原文链接:http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MjM5ODcyMzk0Mg==&mid=2651063829&idx=3&sn=ef76896af7f7851b65933539de2794da&chksm=bd36ce1c8a41470af95099fa7e97b6da9ca765a9df26c070339891c0bcb6a6e123f4b3e83db2&scene=27#wechat_redirect
版权声明:除非特别注明,本站所载内容来源于互联网、微信公众号等公开渠道,不代表本站观点,仅供参考、交流、公益传播之目的。转载的稿件版权归原作者或机构所有,如有侵权,请联系删除。
电话:(010)86409582
邮箱:kejie@scimall.org.cn
未来大奖物质科学奖获奖人潘建伟——学渣的逆袭人生
材料前瞻:Chem. Mater. - 近100%光致发光量子产率,无机无铅蓝色发光体
吴清海、谢军、方向做客人民网强国论坛——谈计量如何为质量强国提供保障
量子物理学:通过量子隐形传输把点连起来
中国电子学会量子信息分会筹备会在北京召开
华东理工大学在超高荧光量子产率金纳米团簇研究领域取得新突破
逆转时间箭头:时光也许可以倒流,但仅限微观粒子
上海光机所高量子产率红外上转换发光微晶研究取得进展
我国研究人员实现室温下的电驱动单光子源
谷歌“量子霸权”即将来临,Intel加紧研发量子芯片