研究前沿：Nat. Electron.-垂直型有机晶体管，构筑10 MHz​高频逻辑电路

有机薄膜晶体管中，平面沟道双栅极结构可集成到伪互补金属氧化物半导体(complementary metal–oxide–semiconductor，CMOS) 逆变器中，来控制开关电压。近日，德国德累斯顿工业大学的Erjuan Guo、Hans Kleemann和西北工业大学吴忠彬教授等在Nature Electronics上发文，报道一种垂直型有机n沟道可渗单基区、双基区晶体管，及垂直型p沟道可渗基区晶体管，并构筑了集成的互补逆变器和环形振荡器。

对n型有机可渗基区晶体管阈值的电压控制，用于调整有机互补逆变器的开关电压。图为N型和P型垂直有机晶体管的制备。

双基区晶体管可以使得一个输入电压小于2.0 V的互补型逆变器的开关电压控制范围超过0.8 V。互补型逆变器可以保持开关状态，在10 MHz下工作的时间常数小于10 ns。图为集成七级互补环形振荡器的动态性能。文献链接：https://www.nature.com/articles/s41928-021-00613-w

原文链接：https://mp.weixin.qq.com/s/UXXb-m_2I4egJRifDno2gA