III-V族半导体刻蚀液及其制备方法和应用

• 摘要：

  本发明公开了一种III‑V族半导体刻蚀液及其制备方法和应用.所述的III‑V族半导体刻蚀液包括按照体积百分比计算的如下组分:含C＝C双键的酯15~30％,含羰基的酯60~84.95％,盐0.05~10％.所述的III‑V族半导体刻蚀液的制备方法包括:在常温下将含碳碳双键的酯、含羰基酯与盐于无水环境中混合均匀,获得所述III‑V族半导体刻蚀液.本发明实施例提供的III‑V族半导体刻蚀液,原料易得、制备方法简单,在刻蚀过程中操作安全,环境友好,而且可以实现对III‑V族半导体的精确刻蚀,同时获得不同的形貌,有利于科学研究和工业化生产.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201810188771.6

• 申请日期：

  2018.03.07

• 公开/公告号：

  CN110240906A

• 公开/公告日：

  2019-09-17

• 发明人：

  潘革波 王超

• 申请人：

  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

• 主分类号：

  C09K13/00(2006.01),C,C09,C09K,C09K13

• 分类号：

  C09K13/00(2006.01),H01L21/306(2006.01),H01L21/3063(2006.01),C,H,C09,H01,C09K,H01L,C09K13,H01L21,C09K13/00,H01L21/306,H01L21/3063

• 主权项：

  1.一种III-V族半导体刻蚀液,其特征在于包括按照体积百分比计算的如下组分:含C＝C双键的酯15~30％,含羰基的酯60~84.95％,盐0.05~10％. 2.根据权利要求1所述的III-V族半导体刻蚀液,其特征在于:所述III-V族半导体刻蚀液为无水溶液. 3.根据权利要求1所述的III-V族半导体刻蚀液,其特征在于:所述含羰基的酯包括碳酸甲乙酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯中的任意一种或两种以上的组合. 4.根据权利要求1所述的III-V族半导体刻蚀液,其特征在于:所述含C＝C双键的酯包括乙烯酯、丙烯酯、碳酸乙烯酯中的任意一种或两种以上的组合. 5.根据权利要求1所述的III-V族半导体刻蚀液,其特征在于:所述的盐包括锂盐、镁盐和钾盐中的任意一种或两种以上的组合. 6.如权利要求1-5中任一项所述的III-V族半导体刻蚀液的制备方法,其特征在于包括:在常温下,将含碳碳双键的酯、含羰基酯与盐于无水环境中混合均匀,获得所述III-V族半导体刻蚀液. 7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于包括:于无水环境中,将含碳碳双键的酯与含羰基的酯均匀混合形成混合物,再将盐溶解于所述混合物内,获得所述III-V族半导体刻蚀液. 8.如权利要求1-5中任一项所述的III-V族半导体刻蚀液于III-V族半导体加工领域的应用. 9.一种III-V族半导体的加工方法,其特征在于包括:以使待加工的III-V族半导体作为阳极,并将所述阳极与阴极置入权利要求1-5中任一项所述的III-V族半导体刻蚀液,且在阳极与阴极施加电压,实现对所述III-V族半导体的刻蚀加工. 10.如权利要求9所述的加工方法,其特征在于:施加在阳极与阴极之间的电压为0.5-50V.