一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器及其制备方法

• 摘要：

  本发明公开了一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,包括:Si衬底;在该Si衬底第一表面依序形成的硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层和第一电极,该硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层与Si衬底构成第一半导体结;以及在该Si衬底第二表面依序形成的第二半导体结和第二电极.本发明同时公开了一种制备低偏置电压下具有增益的硅光电探测器的方法.利用本发明,由于将激光掺杂改变为离子注入加激光辐照,在重掺杂区域内使杂质尽可能多地形成了过饱和替位掺杂,进而可以保持Si表面整洁,适合器件芯片的微电子工艺加工,所制备出的硅光电探测器可以在低偏置电压下具有光电增益的特性,从而提高硅光电探测器的灵敏度和应用范围.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201110041540.0

• 申请日期：

  2011.02.21

• 公开/公告号：

  CN102169918A

• 公开/公告日：

  2011-08-31

• 发明人：

  韩培德

• 申请人：

  中国科学院半导体研究所

• 主分类号：

  H01L31/10(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L31

• 分类号：

  H01L31/10(2006.01)I,H01L31/101(2006.01)I,H01L31/0352(2006.01)I,H01L31/18(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L31,H01L31/10,H01L31/101,H01L31/0352,H01L31/18

• 主权项：

  一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,其特征在于,包括:Si衬底;在该Si衬底第一表面依序形成的硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层和第一电极,该硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层与Si衬底构成第一半导体结;以及在该Si衬底第二表面依序形成的第二半导体结和第二电极.