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与铁磁材料相比，反铁磁材料中的微观磁矩产生了取向变化。
在信息时代，我们需要存储的信息越来越多，与此同时终端设备越来越小。然而，硅基传统电子存储技术正在达到极限。
自旋电子学，特别是反铁磁材料，为信息存储提供了另一种选择：电子不仅可以存储信息，电子自旋也可以包含磁性信息。这样的话，同样的空间可以存储加倍的信息。
然而，反铁磁材料是否可以存储电子信息，一直存在争议。
eurekalert.org网站8月24日报道，德国约翰尼斯•古腾堡大学（JGU）和日本东北大学的研究人员证实，信息存储在反铁磁材料中不仅可行，写入操作的效率也可以被测定。相关研究成果日前刊登于《物理评论快报》杂志中。
JGU教授Mathias Kläui's团队成员Lorenzo Baldrati博士说：“我们证实了在反铁磁材料中存储信息的可行性，并有效测定了绝缘反铁磁材料的写入效率。”
实验中，研究人员测试了反铁磁绝缘材料氧化钴。他们发现，电流比磁场更有效地操控了反铁磁材料。
该发现为不能被外部磁场清除的智能卡、超快计算机等应用开辟了道路。
接下来，研究人员计划研究反铁磁材料保存信息的速度，以及支持写入信息的最小内存值。
科界原创
编译：雷鑫宇
审稿：alone
责编：程建兰
期刊来源：《物理评论快报》
期刊编号：0031-9007
原文链接：
https://www.eurekalert.org/pub_releases/2020-08/jgum-sii082420.php
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