杂质光电子

杂质光电子是指在电磁辐射作用下半导体电导率改变。在光照下可动载流子电荷浓度增加而引起的电导率增加。对本征半导体，价带电子吸收光子而跃迁到导带，使导带电子数和价带空穴数都增加，由此增加了半导体的电导率。

简介杂质光电子是指在电磁辐射作用下半导体电导率改变。

作用在光照下可动载流子电荷浓度增加而引起的电导率增加。对本征半导体，价带电子吸收光子而跃迁到导带，使导带电子数和价带空穴数都增加，由此增加了半导体的电导率，这叫本征光电导。对于掺杂半导体，电子可以从禁带中的施主束缚态激发到导带而产生电子导电;也可以是价带电子激发到禁带中的受主态而增加了价带中的空穴而产生空穴导电，这两种统称杂质光电导。实际上三种激发过程都存在，只是对一种半导体材料以一种激发机制为主。利用光电导性可做成光敏电阻、光导二极管和光晶体管等1。

相关应用利用半导体光-电子（或电-光子）转换效应制成的各种功能器件。它不同于半导体光器件（如光波导开关、光调制器、光偏转器等）。光器件的设计原理是依据外场对导波光传播方式的改变，它也有别于早期人们袭用的光电器件。后者只是着眼于光能量的接收和转换（如光敏电阻、光电池等）。

缺点杂志光电导探测器通常在低温下工作，因为一般浅杂质其电离能很小，很容易热激发产生热载流子，从而形成暗电流，影响器件性能。所以应在低温下工作，尽量减少热激发。

相关概念金属表面在光辐照作用下发射电子的效应统称为光电效应，发射出来的电子叫做光电子2。

本词条内容贡献者为:

周敏 - 副教授 - 西南大学