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科技工作者之家 2020-03-02
来源:中科院微电子研究所
近日,微电子所高频高压中心贾锐研究员团队,在欧阳晓平院士指导下,创新性地将高功函数钝化接触异质结技术应用到硅漂移探测器(SDD)中,成功研制出新型SDD核心元器件。目前,该团队在硅异质结漂移探测器的器件设计、工作机理和工艺制备等方面形成了核心竞争力,并具有完全自主知识产权。
图1.四寸晶圆上不同面积的硅漂移探测器
图2. 快速探测和捕获到的高分辨X射线单光子波形
来源:imecas_wx 中科院微电子研究所
原文链接:http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MjM5Mjk2MzU1Ng==&mid=2651730473&idx=1&sn=9f55618a6610644ad36f547e17f89ba2&chksm=bd64dca28a1355b45e8353e38d61fbbe1bac96bae94af8f772f51b618759c8103119d5be2afd&scene=27#wechat_redirect
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